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氮化铝陶瓷电路板被广泛使用的原因是什么

文字:[大][中][小] 手机页面二维码 2019-12-19     浏览次数:    
  目前大功率的集成电路材料一般是三氧化二铝或者Beo陶瓷,Beo虽然具有优异的综合功能,但其具有较高的生产成本和剧毒的缺点限制了它的使用推广。而AL2O3基板的导热率低、热膨胀系数与Si不太匹配。陶瓷基板。无论是功能、成本、环保都不能满足电子大功率器件氮化铝陶瓷电路板的要求。

  氮化铝陶瓷电路板可以处理以上的问题

  氮化铝陶瓷具有优异的综合功能,是近年来受到广泛重视的新一代先进陶瓷,在多方面都有着广泛的使用远景,尤其是其具有高导热率、低介电常数、低介电损耗、优良的电绝缘性,与硅相匹配的热膨胀系数及无毒性等优点,使其成为高密度、大功率和高速集成电路板与封装基板的抱负材料。

  陶瓷基板的成型主要有压膜、干压、和流延成型三种方法。其间以流延法成型生产功率最高,且易于完成生产的接连化和自动化,改善产品质量,降低成本,完成大批量生产,生产基板的厚度可以薄至于10μm以下,厚度1mm以上。流延成型是氮化铝陶瓷电路板向实用化转化的重要一步,有着重要的使用远景。

  氮化铝陶瓷电路板在导热方面有很大的优势

  在氮化铝一系列重要性质中,最为明显的是高导热率。其主要机理为:通过点阵或晶格震动,即凭借晶格波或热波进行传递。氮化铝陶瓷为绝缘陶瓷材料,关于绝缘陶瓷材料,热能以原子振动方法传递,归于声子导热,声子在它的导热过程中扮演者重要的人物。氮化铝热导率理论上可达320W(m·K),但由于氮化铝中有杂质和缺点,导致氮化铝陶瓷电路板的导热率达不到理论值。氮化铝粉末中杂质主要是氧、碳,别的还有少数的金属离子杂质,在晶格中发生各种缺点方式,这些缺点对声子的散射会导致热导率。即便如此,氮化铝陶瓷电路板也是目前市场上导热率最高的电路板。

  流延成型工艺包括浆料制备、球磨、成型、干燥、剥离基带等过程,该工艺方法的特点是设备简单、工艺稳定、可接连操作、生产功率高、可完成自动化。陶瓷基板。流延法制备陶瓷基板对工艺要求十分严格,要制得功能良好的氮化铝陶瓷基板,必须对流程中的每一个工序做到最优化。影响氮化铝陶瓷电路板的因素有浆料粘度,排胶和预烧结,这会影响到基板的平整度、导热率等等。



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