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那些不知道的关乎“氮化铝陶瓷基板制作技术”关键问题

文字:[大][中][小] 手机页面二维码 2019-8-29     浏览次数:    

  氮化铝陶瓷基板在大功率器件范畴,因其导热率而被商场受用。那么今天天小编要共享的氮化铝陶瓷基板制造技术的要害词问题。


陶瓷基板


  一,氮化铝基板简介和运用概略

  1.氮化铝资料有哪些突出特性

  氮化铝是氮和二元系列中仅有安稳的化合物,具有高的熔点和杰出的导热特性。

  晶形:六方晶系钙钛矿型

  分解温度:2500摄氏度

  理论热导率:320W/m.k

  导热率是氧化铝的7倍,高温导热优于氧化铍;

  热膨胀系数:与硅热膨胀系数匹配

  电特性:高电绝缘,低介电常数;耐腐蚀特性:对熔融金属有优秀的耐腐蚀特殊性。

  无毒,高纯,归纳性能优异的电子封装资料。

  2,氮化铝运用布景。

  氮化铝陶瓷覆铜板满意高压IGBT模块,广泛运用于高铁、电动汽车、智能电网和新能源等“绿色经济”。氮化铝陶瓷封装基板满意大功率LED芯片散热的需求,在汽车大灯、室外照明、舞台灯等高速LED中运用广泛。氮化铝薄膜封装基板满意芯片功率散热、高频传输等方面,在光通讯中的TOSA/ROSA/TO中的PD、LD器件中运用广泛。氮化铝具有高热导率、高强度、低介电常数、热膨胀系数挨近和无毒等优异的归纳性能。

  光通讯范畴、微波通讯范畴、LED范畴等军民各个高功率需求氮化铝封装和基板作为要害散热资料。氧化铝是未来小型化、集成化、多功能电子封装开展必不可缺的资料之一,远景宽广。

  二,氮化铝基板制造要害技术问题

  1氮化铝粉体和烧结助剂挑选。氮化铝粉体:高纯度、粒度小、比外表积大、碳含量低、氧含量低、杂质金属离低。烧结助剂于AIN粉外表的氧化铝成份在烧结过程中反响形成低熔点的复合氧化物,然后烧结体中产生液相。这些液相围住AIN颗粒,在毛细管力的作用下发生颗粒重排和内部气孔排出,终究实现AIN瓷的细密烧结。

  2.氮化铝成型工艺流延成型:

  浆料安稳性及粘度的操控

  流延带料厚度均匀性操控

  带料X-Y方向收缩率操控

  3. 氮化铝烧结工艺

  氮化铝陶瓷烧结需求留意的问题:

  选取适宜烧结准则(升温准则、烧结温度、保温时刻)

  选用适宜的保护气氛防止氮化铝陶瓷的氧化

  烧结设备:温度均匀性

  4. 氮化铝金属化工艺 氮化铝厚膜金属化

  金属化系统:金属化结合力:2KG/平方毫米

  外表覆铜100um满意电流承载需求

  外表镀覆镍合适键合和焊接

  5氮化铝薄膜基板:

  选用磁控溅射工艺设备,线条精度高;可预制焊料、电阻等系统。

  6 氮化铝覆铜板:

  低热阻,由于它是铜点路板和陶瓷基板直接结合的简单结构;

  能够直接安装硅片,由于它们的热膨胀系数适当;高可靠,可承载大电流。

  7 氮化铝腹铝基板:低价格,制造成本低

  杰出的可塑性:有用的缓解界面热膨胀系数不同引起的热应力

  液态铝与氮化铝为物理潮湿:界面结合力高、无空泛、无过渡层。

  8,氮化铝多层陶瓷封装

  氮化铝与钨金属化系统高温共烧;多层陶瓷布线设计满意电路要求;能够与金线进行焊接;气密性封装。

  陶瓷基板小编介绍,可见氮化铝是归纳优异的电子陶瓷封装资料,满意系统集成的开展和需求;氮化铝粉体、流延成型工艺操控、烧结是陶瓷制备的要害工艺,特别是粉体资料亟待国产化;氮化铝陶瓷金属工艺是链接陶瓷与器件之间的枢纽,需求开发系列化产品满意不同大功率场合运用环境。

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